击穿场强怎么估算

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击穿电压是指当电场强度超过某一临界值时,电介质内部会发生击穿现象,此时电介质失去其介电性能,变为导体。击穿电压是评价电介质和绝缘结构性能的重要指标之一1。电介质在足够强的电场作用下会失去其介电性能,成为导体,所对应的电压称为击穿电压

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芯片#半导体 SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍,因此与Si器件相比,能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V~数千V的高耐压功率器件。高耐压功率器件的阻抗主要由该漂移层的阻抗组成,因此采用SiC可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。理论上,相同耐压的器件,SiC的单位面积的漂移层阻抗可以降低到Si的1/300。而Si材料中,为了改善伴随高耐压化而引起的导通电阻增大的问

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