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上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2：n型上图表示的是p型mos管，读者...

具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值...

功率MOS管都有输入电容的存在，电容值还不小。当左边驱动管发出开关信号，内阻一般不会很大，那这个内阻可以是多少呢？我们假设电容1nF，Rs=0.1Ω，RL=1MΩ：我们知道了，源内阻越小，负载阻抗越大，越容易产生谐振尖峰。如图...

当ib没有电流时，电容C1开始放电，形成回路I，这个时候B点的电压从0.7V降到0V，工作在放大区，最容易受到干扰，在C1两端加个电阻R2，电容上的电一部分就会从电阻R2上释放掉，并且电阻阻值越小，电容放电越快。因此，电阻R2给...

提高MOS管G极的输入串联电阻，一般该电阻阻值在1~100欧姆之间，具体值看MOS管的特性和工作频率，阻值越大，开关速度越缓。b.在MOS管GS之间并联瓷片电容，一般容量在1nF~10nF附近。看实际需求。c.调节电阻电容值，提高电阻和...

经常看见在每个桥臂的MOS管G极前加一个阻值不大但是功率较大的电阻同时和MOS并联的还有一个RCD（电阻+二极管+电容）电路现在知道这个RCD电路是用于吸收MOS管的突波或者尖峰电压问：在实际中如何选型RCD器件，以及G极的电阻 ...

IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。2、电源IC驱动能力不足时如果选择MOS管寄生电容比较大，电源IC内部的驱动能力又不足时，需要在驱动电路上增强驱动能力...

这里的三极管就是一个泄放开关，当MOS管驱动打开的时候，三极管是截止的，正常导通MOS管，当MOS管关闭的时候，三极管导通，这个时候就可以通过更小阻值的电阻来切换米勒电容的电流。关于这一期基于米勒电容引起的MOS管栅极误...

通常来说，MOS管的单位面积导通电阻值和优值系数值越低表示其性能越好。而超低压MOSFET不关注优值系数，单位面积导通电阻值和漏极击穿电压之间存在取舍关系，因此对于超低压MOSFET选取单位面积导通电阻值和漏极击穿电压作为...

每个MOS需要栅极电阻，且阻值在几Ω到几十Ω,防止电流共享和振荡；B.MOS管具备良好的热耦合，确保电流和热平衡；C.避免在GS之间添加外部器件，可以适当调整电阻值，优化开关速度。问题来了，那并联多个双极晶体管和MOS管有...